仁田山 晃寛

(にたやま あきひろ)


1983年 東京大学大学院工学系研究科博士課程了.
工学博士.
現在,株式会社 東芝 セミコンダクター社半導体研究開発センター,副センター長.
3次元メモリ,次世代RAM技術など,次世代半導体メモリ技術の研究開発に従事.

執筆箇所:

  ・8群2編 情報ストレージ
  ・10群4編 メモリLSI