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1編 デバイスの微細化限界とその物理
S2群1編 デバイスの微細化限界とその物理
[更新履歴]
編主任
平本俊郎(東大)
編幹事
遠藤和彦(産総研)
全体概要
1章 半導体のスケーリング
2章 半導体ロードマップ
石内秀美(東芝)
概要
2-1 半導体ロードマップの歴史
2-2 ITRS 2013年版の概要
2-3 ITRS 2.0に向けて
3章 微細デバイスの諸問題
概要
3-1 短チャネル効果
小林正治(東大)
3-2 特性ばらつき
松川 貴(産総研)
3-3 ノイズ
渡邉孝信(早大)
3-4 信頼性
竹内 潔(東大)
4章 微細化限界を打破する新デバイス
概要
4-1 マルチゲートMOSFET
鈴木英一(JST)
4-2 ナノワイヤMOSFET
齋藤真澄(東芝)
4-3 III-V/Ge MOSFET
手塚 勉(東芝)
4-4 トンネルFET
森田行則(産総研)
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知識ベースのなかから適切なテーマを選りすぐって企画されたものです.内容に関しては新規執筆も含めて,より分かりやすく再編集されています.いわば学会の知の結晶を,皆様により充実した形でお届けするものです.
本シリーズを通じて,電子情報通信の最先端分野の面白さを堪能して頂ければ幸いです.
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