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9群4編 電子デバイス
編主任 上田大助(パナソニック)
編幹事 葛原正明(福井大)



概要

1-1 光通信

1-2 移動体通信(端末)

1-3 移動体通信(基地局)

1-4 マイクロ波

1-5 ミリ波

1-6 テラヘルツ波

1-7 超高速ディジタル

1-8 電力変換

三村秀典(静岡大)

1-10 各種センサデバイス


概要

2-1 GaAs FET

2-2 GaAs HEMT

田中愼一(芝浦工大)

2-4 InP HEMT

宮本恭幸(東工大)

2-6 GaN HEMT

2-7 Si MOSFET

高木信一(東大)

2-9 Si LDMOS

2-10 SiGeデバイス

藤嶌辰也(ローム)

佐々誠彦(阪工大)

2-13 IGBT

齋藤 渉(東芝)

2-15 TFT

2-16 ダイオード

若原昭浩(豊橋技科大)

2-18 量子効果デバイス

葛西誠也(北大)

2-20 CNTデバイス

2-21 真空ナノデバイス

2-22 電子管

2-23 MEMS, フィルタ

2-24 その他新デバイス


概要

3-1 化合物半導体(III-V)

鴨川弘幸(日立電線)

佐道泰造(九大)

須田 淳(京大)

3-5 ダイヤモンド

3-6 アモルファス・多結晶半導体


概要

鈴木寿一(JAIST)

鈴木寿一(JAIST)

4-3 超微細構造形成

4-4 表面・界面制御・パッシベーション

大島知之(OKIセミコンダクタ)

4-6 EB応用


概要

5-1 デバイスモデル(FET)

5-2 デバイスモデル(BJT)

藤代博記(東京理科大)

5-4 熱,応力シミュレーション

井上 晃(三菱電機)


概要

葛原正明(福井大)

6-2 歪み,ノイズ

6-3 非線形現象・カオス

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