編主任 上田大助（パナソニック）
編幹事 葛原正明（福井大）
編幹事 葛原正明（福井大）
概要
1-1 光通信
1-2 移動体通信（端末）
1-3 移動体通信（基地局）
1-4 マイクロ波
1-5 ミリ波
1-6 テラヘルツ波
1-7 超高速ディジタル
1-8 電力変換
三村秀典（静岡大）
1-10 各種センサデバイス
概要
2-1 GaAs FET
2-2 GaAs HEMT
田中愼一（芝浦工大）
2-4 InP HEMT
宮本恭幸（東工大）
2-6 GaN HEMT
2-7 Si MOSFET
高木信一（東大）
2-9 Si LDMOS
2-10 SiGeデバイス
藤嶌辰也（ローム）
佐々誠彦（阪工大）
2-13 IGBT
齋藤 渉（東芝）
2-15 TFT
2-16 ダイオード
若原昭浩（豊橋技科大）
2-18 量子効果デバイス
葛西誠也（北大）
2-20 CNTデバイス
2-21 真空ナノデバイス
2-22 電子管
2-23 MEMS, フィルタ
2-24 その他新デバイス
概要
3-1 化合物半導体（III-V）
鴨川弘幸（日立電線）
佐道泰造（九大）
須田 淳（京大）
3-5 ダイヤモンド
3-6 アモルファス・多結晶半導体
概要
鈴木寿一（JAIST）
鈴木寿一（JAIST）
4-3 超微細構造形成
4-4 表面・界面制御・パッシベーション
大島知之（OKIセミコンダクタ）
4-6 EB応用
概要
5-1 デバイスモデル（FET）
5-2 デバイスモデル（BJT）
藤代博記（東京理科大）
5-4 熱，応力シミュレーション
井上 晃（三菱電機）
概要
葛原正明（福井大）
6-2 歪み，ノイズ
6-3 非線形現象・カオス
<関連情報>